Silicon N-Channel MOSFET

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N-Channel MOSFET

WFF23N50DP?是一款N-溝道高壓功率MOSFT，具有開關速度快，dv/dt?能力提升等優(yōu)點，可應用于LED電源，充電器，適配器，開關電源等應用。 ? 500V, 23A\n? RDS(ON) = 0.26Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 11.5A\n? 100%雪崩測試\n? dv/dt?能力提升\n? 開關速度快;

Winsemi

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Silicon N-Channel MOSFET

General Description\nThis Power MOSFET is produced using Winsemi ’s advanced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency s ■2A,60 0V, RDS(on)(Max 5Ω)@VGS=10V\n■ Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC)\n■ Fast Switching Capability\n■ 100%Avalanche Tested\n■ Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC )\n■ Maximum Junction Temperature Range(150℃);

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場效應管

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