VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Small area planar silicon photodiode in a clear, long T-1, endlooking package. These diodes exhibit low dark current under reverse bias and fast speed of response.

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PERKINELMER

快速響應(yīng)硅光電二極管

這種快速響應(yīng)的硅光電二極管的感光面積為0.684mm2，光譜響應(yīng)范圍介于400nm和1150nm之間。\n\n我們的系列快速響應(yīng)光電二極管設(shè)計(jì)用于提供低結(jié)電容，可實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)能力。它們可以在反向偏壓的條件下工作，以減小電容，從而進(jìn)一步提升響應(yīng)速度。在不太注重響應(yīng)速度的設(shè)備中，這些光電二極管也可以光伏模式工作。\n\n這種快速響應(yīng)的硅光電二極管在近IR范圍內(nèi)能很好響應(yīng)，并且與埃賽力達(dá)紅外LED VTE系列良好匹配。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\n在近紅外光譜范圍內(nèi)可見\n\n線性范圍1-2%，可適使用70到 90年\n\n低暗電流\n\n高分流電阻\n\n低結(jié)電容\n\n快速響應(yīng)\n\n高反 ? 感光面積 = 0.684 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為24 μA，? 響應(yīng)度=通常為0.015 A/(W/cm2), 940 nm? 暗電流=在50V反向偏壓時(shí)，最大值為35nA? 結(jié)電容 = 最大值25 pF（反向偏壓為3 V時(shí)）? 光譜范圍 = 400 nm至1150 nm? 峰值光譜響應(yīng)=925 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,55A/W? 角響應(yīng)=50%響應(yīng)時(shí)成±20度，;

Excelitas

埃賽力達(dá)

Wireless IoT Mesh Network Gateway

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200-Node Wireless IoT Network Gateway

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ADVANTECH

研華科技

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 10?

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