VTP Process Photodiodes

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PERKINELMER

快速響應硅光電二極管

這種快速響應硅光電二極管的感光面積為1.6 mm2，設計用于400 nm至1150 nm之間的光譜響應。\n\n我們的快速響應光電二極管系列設計用于提供低結電容，可實現(xiàn)快速響應能力，并且可以在反向偏置下正常工作以減小電容，從而進一步提高響應速度。在不太注重響應速度的應用中，這些光電二極管還能以光伏模式正常工作。\n\n這些裝置在IR光譜范圍內具有出色的響應特性，并且能夠與埃賽力達紅外LED VTE系列完美匹配。\n\n功能與優(yōu)點：\n\n在近紅外光譜范圍內可見\n\n線性范圍1-2%，可適使用70到 90年\n\n低暗電流\n\n高分流電阻\n\n低結電容\n\n快速響應\n\n高反向 ? 感光面積 = 1.6 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時，最小值為30 μA，? 暗電流=在50V反向偏壓時，最大值為7nA? 結電容 = 最大值6 pF（反向偏壓為15 V時）? 擊穿電壓 = 最低50V? 光譜范圍 = 400 nm至1150 nm? 峰值光譜響應=925 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,55A/W? 角響應=50%響應時成±15度，;

Excelitas

埃賽力達

Package：徑向，帶透鏡的金屬罐，TO-46-2；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：傳感器，變送器 光學傳感器 - 光電二極管 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM RADIAL

Excelitas Technologies

12dBi Directional Patch

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LVL1

10.0 Ampere Insulated Single Positive Type Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S

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THINKISEMI

思祁半導體

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planar type For switching/digital circuits ■ Features ? Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) ? Reduction of the mounting area and assembly cost by one half ■ Basic Part Number ? UNR2112 (UN2112) × 2

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PANASONIC

松下