VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a recessed ceramic package. Chip is coated with a protective layer of epoxy. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in recessed ceramic package. The package incorporates an infrared rejection filter. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

文件：27.19 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages

PERKINELMER

藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管

VTB8441BH藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管的感光面積為5.16 mm2，主要在光伏模式下使用，但也可以在較小的反向偏壓下工作。此光電二極管同時(shí)采用極高分流電阻的設(shè)計(jì)，因此在高增益互阻抗運(yùn)放電路中使用時(shí)偏置量較小。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\n可見光光譜范圍\n\n在70至90年內(nèi)保持1%-2%的線性度\n\n極弱暗電流\n\n極高分流電阻\n\n符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\n環(huán)境光傳感\(zhòng)n\n光照度計(jì)\n\n火焰監(jiān)測\n\n光度測定 ? 感光面積 = 5.16 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為4 μA，? 暗電流 = 最大值100 pA（反向偏壓為2 V時(shí)）? 結(jié)電容 = 典型值1.0 nF（偏壓為0 V時(shí)）? 光譜范圍 = 330 nm至720 nm? 峰值光譜響應(yīng)=580 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,29A/W? 角響應(yīng) = ±50度（50%響應(yīng)時(shí)）?;

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埃賽力達(dá)

藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管

\n\nVTB8441H藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管的感光面積為5.16 mm2，光譜響應(yīng)范圍為320至1100 nm。此系列P-on-N硅平面光電二極管的設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)在可見光光譜范圍內(nèi)的最佳響應(yīng)。\n\n我們的藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管主要在光伏模式下使用，但也可以在較小的反向偏壓下工作。它們具有極高的分流電阻，因此在高增益互阻抗運(yùn)放電路中使用時(shí)偏置量較小。\n\n\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\nUV至近IR光譜范圍\n\n在70至90年內(nèi)保持1%-2%的線性度\n\n極弱暗電流\n\n極高分流電阻\n\n符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n\n\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\nUV和藍(lán)光傳感\(zhòng)n\n光照度計(jì)\n ? 感光面積 = 5.16 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為35 μA，? 暗電流 = 最大值100 pA（反向偏壓為2 V時(shí)）? 結(jié)電容 = 典型值1.0 nF（偏壓為0 V時(shí)）? 光譜范圍 = 320 nm至1100 nm? 峰值光譜響應(yīng)=920 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,5A/W? 角響應(yīng) = ±50度（50%響應(yīng)時(shí)）;

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埃賽力達(dá)

Package：2-DIP 模塊；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：傳感器，變送器 光學(xué)傳感器 - 光電二極管 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM 2DIP MOD

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