VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a three lead TO-5 package with a UV transmitting “flat” window. Chip is isolated from the case. The third lead allows case to be grounded. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a “flat” window, dual lead TO-5 package. The package incorporates an infrared rejection filter. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a “flat” window, dual lead TO-5 package. The package incorporates an infrared rejection filter. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a three lead TO-5 package with a UV transmitting “flat” window. Chip is isolated from the case. The third lead allows case to be grounded. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a dual lead TO-5 package with a UV transmitting “flat” window. Chip is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a three lead TO-5 package with a UV transmitting “flat” window. Chip is isolated from the case. The third lead allows case to be grounded. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

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PERKINELMER

藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管

VTB5051BH硅光電二極管的感光面積為14.8 mm2，通過使用內(nèi)置IR帶阻濾波器將響應(yīng)限制在光譜的可見光范圍內(nèi)。\n\n此光電二極管主要在光伏模式下使用，但也可以在較小的反向偏壓下工作。它采用極高分流電阻的設(shè)計(jì)，因此在高增益互阻抗運(yùn)放電路中使用時(shí)偏置量較小。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\n可見光光譜范圍\n\n在70至90年內(nèi)保持1%-2%的線性度\n\n極弱暗電流\n\n極高分流電阻\n\n符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\n環(huán)境光傳感\(zhòng)n\n光照度計(jì)\n\n火焰監(jiān)測\n\n光度測定 ? 感光面積 = 14.8 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為8 μA，? 暗電流 = 最大值250 pA（反向偏壓為2 V時(shí)）? 結(jié)電容 = 典型值3 nF（偏壓為0 V時(shí)）? 光譜范圍 = 330 nm至720 nm? 峰值光譜響應(yīng)=580 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,29A/W? 角響應(yīng) = ±50度（50%響應(yīng)時(shí)）;

Excelitas

埃賽力達(dá)

藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管

此藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管采用氣密TO-5扁平窗口封裝，感光面積為14.8 mm2，其設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)320 nm至1100 nm之間的最佳光譜響應(yīng)。\n\n此系列P-on-N硅平面光電二極管的設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)在可見光光譜范圍內(nèi)的最佳響應(yīng)。這些光電二極管主要在光伏模式下使用，但也可以在較小的反向偏壓下工作。它們同樣采用極高分流電阻的設(shè)計(jì)，因此在高增益互阻抗運(yùn)放電路中使用時(shí)偏置量較小。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\nUV至近IR光譜范圍\n\n在70至90年內(nèi)保持1%-2%的線性度\n\n極弱暗電流\n\n極高分流電阻\n\n符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\nUV和藍(lán)光傳感\(zhòng)n\n光照 ? 感光面積 = 14.8 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為85 μA，? 暗電流 = 最大值250 pA（反向偏壓為2 V時(shí)）? 結(jié)電容 = 典型值3 nF（偏壓為0 V時(shí)）? 光譜范圍 = 320 nm至1100 nm? 峰值光譜響應(yīng)=920 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,5A/W? 角響應(yīng) = ±50度（50%響應(yīng)時(shí)）;

Excelitas

埃賽力達(dá)

藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電二極管

此UV增強(qiáng)型硅光電二極管的感光面積為14.8 mm2，其設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)200 nm至1100 nm之間的最佳光譜響應(yīng)。\n\n此系列P-on-N硅平面光電二極管的設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)在UV和可見光光譜范圍內(nèi)的最佳響應(yīng)。這些光電二極管主要在光伏模式下使用，但也可以在較小的反向偏壓下工作。它們同樣采用極高分流電阻的設(shè)計(jì)，因此在高增益互阻抗運(yùn)放電路中使用時(shí)偏置量較小。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\nUV至近IR光譜范圍\n\n在70至90年內(nèi)保持1%-2%的線性度\n\n極弱暗電流\n\n極高分流電阻\n\n符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\nUV和藍(lán)光傳感\(zhòng)n\n光照度計(jì)\n\n火焰監(jiān)測\ ? 感光面積 = 14.8 mm2? 短路電流=在100fc，2850K時(shí)，最小值為85 μA，? 暗電流 = 最大值250 pA（反向偏壓為2 V時(shí)）? 結(jié)電容 = 典型值3 nF（偏壓為0 V時(shí)）? 光譜范圍 = 200 nm至1100 nm? 峰值光譜響應(yīng)=920 nm? 峰值波長的靈敏度=通常為0,5A/W? 365 nm時(shí)的靈敏度 = 典型值0.1 A/W? 220 nm時(shí)的靈敏度 = 最小值0.038 A/W? 角響應(yīng) = ±50度（50%響應(yīng)時(shí)）;

Excelitas

埃賽力達(dá)