Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n ;

Vishay

威世

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n ;

Vishay

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Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division