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VT2080C	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an 文件：130.87 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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