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VSB2200S | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC ? Halogen-free according to IEC 61249-2-21 defin 文件:74.8 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VSB2200S | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件:88.3 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC ? Halogen-free according to IEC 61249-2-21 defin 文件:74.8 Kbytes 頁數(shù):4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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VSB2200S | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay |
詳細參數(shù)
- 型號:
VSB2200S
- 制造商:
VISHAY
- 制造商全稱:
Vishay Siliconix
- 功能描述:
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2019+ROHS |
DO-201AD |
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