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    VS402

    Dual Frequency VCSO

    文件:569.52 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    VECTRON

    VS40200AD

    N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

    文件:2.30959 Mbytes 頁數(shù):6 Pages

    DOINGTER

    杜因特

    VS40280AT

    N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

    文件:2.81871 Mbytes 頁數(shù):6 Pages

    DOINGTER

    杜因特

    VS40200AP

    MOSFET

    N溝道增強型功率MOSFET采用Trench工藝針對更低Rds(on)和更高載流能力進行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用,如電池保護和馬達驅(qū)動等。 1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗\n2.雪崩能力強\n3.100%雪崩測試;

    Vergiga

    威兆半導(dǎo)體

    VS40200AT

    MOSFET

    N溝道增強型功率MOSFET采用Trench工藝針對更低Rds(on)和更高載流能力進行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用,如電池保護和馬達驅(qū)動等。 1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗\n2.雪崩能力強\n3.100%雪崩測試;

    Vergiga

    威兆半導(dǎo)體

    VS40200ATD

    MOSFET

    N溝道增強型功率MOSFET采用Trench工藝針對更低Rds(on)和更高載流能力進行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用,如電池保護等。 1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗\n2.雪崩能力強\n3.100%雪崩測試;

    Vergiga

    威兆半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • BVDSS[V]:

      40.00

    • bVGS[V]:

      20.00

    • vth_min:

      1.20

    • vth_max:

      2.30

    • ID[A]:

      80.00

    • PD[W]:

      250.00

    • RDS (on) Typ[mR]@10V:

      3.80

    • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

      4.60

    • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

      0.00

    • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

      0.00

    • Ciss:

      6210.00

    • Coss:

      565.00

    • Crss:

      380.00

    • Qg(10V)[nC]:

      101.00

    • Qg(4.5V)[nC]:

      49.00

    • Package:

      TO-252

    • Technology:

      Trench MOS

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    VANGUARD
    25+23+
    PDFN5x6
    39106
    絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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    Vanguard(威兆)
    2447
    TO-220AB
    115000
    50個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
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    VANGUARD
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    QFN
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    全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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    VANGUARD
    23+
    SOP-8
    50000
    全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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    原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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    PDFN5x6
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    TO252
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    Vergiga Semiconductor
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    更多VS402供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 16:50:00

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