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VNS3NV04D	文件：241.6 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNS3NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. Built in ther 文件：241.6 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in th 文件：357.06 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ? AEC-Q100 qualified ? ECOPACK: lead free and RoHS compliant ? Linear current limitation ? Thermal shutdown ? Short-circuit protection ? Integrated clamp ? Low current drawn from input pin ? Diagnostic feedback through input pin ? ESD protection ? Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E_V01	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ? AEC-Q100 qualified ? ECOPACK: lead free and RoHS compliant ? Linear current limitation ? Thermal shutdown ? Short-circuit protection ? Integrated clamp ? Low current drawn from input pin ? Diagnostic feedback through input pin ? ESD protection ? Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ? AEC-Q100 qualified ? ECOPACK: lead free and RoHS compliant ? Linear current limitation ? Thermal shutdown ? Short-circuit protection ? Integrated clamp ? Low current drawn from input pin ? Diagnostic feedback through input pin ? ESD protection ? Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DTR-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in th 文件：357.06 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D13TR	文件：249.33 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：249.33 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：289.94 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：289.94 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D	文件：300 bytes Page：1 Pages	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	ST 意法半導(dǎo)體	ST

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VNS3NV04D
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
2
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
3.5A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
120 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	VNS3NV04D	STMicroelectronics	25+	N/A	18798	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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更多VNS3NV04D供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-23 10:22:00

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