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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower? M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in 文件：383.42 Kbytes 頁數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：413.53 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ? Linear current limitation ? Thermal shutdown ? Short circuit protection ? Integrated clamp ? Low current drawn from input pin ? Diagnostic feedback through input pin ? ESD protection ? Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving) ? Compatible with standard po 文件：413.53 Kbytes 頁數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E_V01	文件：413.53 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ? Linear current limitation ? Thermal shutdown ? Short circuit protection ? Integrated clamp ? Low current drawn from input pin ? Diagnostic feedback through input pin ? ESD protection ? Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving) ? Compatible with standard po 文件：413.53 Kbytes 頁數(shù)：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	OMNIFET II：全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower? M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdow ? In compliance with the 2002/95/EC european directive \n? Compatible with standard power mosfet \n? ESD protection \n? Diagnostic feedback through input pin \n? Linear current limitation \n? Short circuit protection \n? Thermal shutdown \n? Low current drawn from input pin \n? Direct access to the ;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
VNS1NV04DP-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VNS1NV04DP-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
2
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
1.7A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
250 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金芯陽科技有限公司	VNS1NV04DP-E	STM	15+	原廠原裝	4000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市納睿斯電子科技有限公司	VNS1NV04DP-E	ST	23+		20000	原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	VNS1NV04DP-E	STMicroelectronics	25+	N/A	11580	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	VNS1NV04DP-E	ST	10+	SOP8	6000	原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢量多可發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	VNS1NV04DP-E	ANALOG	100	STM	4000		詢價(jià)
深圳市海天鴻電子科技有限公司	VNS1NV04DP-E	ST	1701+	SO-8	7500	只做原裝進(jìn)口,假一罰十	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	VNS1NV04DP-E	STMicroelectronics	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	VNS1NV04DP-E	STM	23+	SOP8	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	VNS1NV04DP-E	STMicroelectronics	24+	8-SO	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VNS1NV04DP-E	ST	20+	na	65790	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價(jià)

更多VNS1NV04DP-E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:07:00

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