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首頁 >VNHL3NV04D-E>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VNHL3NV04D-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 40V 3.5A 8-SOIC	ST 意法半導(dǎo)體	ST
VNHL3NV04D-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負載驅(qū)動器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04	文件：418.58 Kbytes Page：21 Pages	??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit 文件：418.58 Kbytes 頁數(shù)：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 頁數(shù)：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNN3NV04	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 頁數(shù)：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VNHL3NV04D-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器
系列：
OMNIFET II?
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
2
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
3.5A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
120 毫歐（最大）
故障保護：
限流（固定），超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	VNHL3NV04D-E	STMicroelectronics	24+	8-SO	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
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更多VNHL3NV04D-E供應(yīng)商更新時間2026-1-19 13:41:00

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