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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VNB35NV04-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	OMNIFET II：全自動(dòng)保護(hù)功率MOSFET The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics?VIPower?M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.\n\n Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the ? Linear current limitation \n? Thermal shutdown \n? Short circuit protection \n? Integrated clamp \n? Low current drawn from input pin \n? Diagnostic feedback through input pin \n? ESD protection \n? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) \n? Compatible with standard Power M;	ST 意法半導(dǎo)體	ST
VNB35NV04-E	文件：561.42 Kbytes Page：27 Pages	OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET Description The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics? VIPower? M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage cla 文件：561.42 Kbytes 頁數(shù)：27 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04TR-E	文件：414.01 Kbytes Page：19 Pages	??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics? VIPower? M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage cla 文件：414.01 Kbytes 頁數(shù)：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04TR-E	文件：561.42 Kbytes Page：27 Pages	OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET Description The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics? VIPower? M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage cla 文件：561.42 Kbytes 頁數(shù)：27 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
VNP35NV04	文件：309.85 Kbytes Page：19 Pages	OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNB35NV04, VNP35NV04, VNV35NV04, VNW35NV04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 25KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：309.85 Kbytes 頁數(shù)：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VNB35NV04-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
30A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
13 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳和潤天下電子科技有限公司	VNB35NV04-E	ST/意法半導(dǎo)體	22+	D2PAK-2	6008	原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	VNB35NV04-E	ST	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	VNB35NV04-E	STMicroelectronics	25+	N/A	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	VNB35NV04-E	STMicroelectronics	24+	D2PAK	66800	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VNB35NV04-E	ST	20+	na	65790	原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	VNB35NV04-E	STMicroelectronics	24+	D2PAK	36500	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)

更多VNB35NV04-E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 8:33:00

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