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VN2460中文資料SUTEX數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào)	VN2460
功能描述	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
文件大小	457.77 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	SUTEX
網(wǎng)址	網(wǎng)址
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更新時(shí)間	2026-1-23 10:21:00
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VN2460規(guī)格書(shū)詳情

Advanced DMOS Technology

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

特性 Features

? Free from secondary breakdown

? Low power drive requirement

? Ease of paralleling

? Low CISS and fast switching speeds

? Excellent thermal stability

? Integral Source-Drain diode

? High input impedance and high gain

Applications

? Motor controls

? Converters

? Amplifiers

? Switches

? Power supply circuits

? Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.)

產(chǎn)品屬性

型號(hào)：
VN2460
功能描述：
MOSFET 600V 20Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	VN2460	SILICONIX	24+	SOT-23	1500		詢價(jià)
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