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    VI40100C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

    文件:167.8 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VI40100C-E3/4W

    Package:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    V40100C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

    文件:167.8 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    V40100C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier

    文件:157.14 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VB40100C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

    文件:167.8 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      VI40100C-E3/4W

    • 制造商:

      Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

    • 系列:

      TMBS?

    • 包裝:

      管件

    • 二極管配置:

      1 對(duì)共陰極

    • 二極管類型:

      肖特基

    • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

      20A

    • 速度:

      快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

    • 工作溫度 - 結(jié):

      -40°C ~ 150°C

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-262AA

    • 描述:

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
    VISHAY/威世
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    更多VI40100C-E3/4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 20:01:00

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