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    VI20150SG-E3
    High efficiency operation
    
FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO
    文件：157.86 Kbytes 頁數：6 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3
    High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 
    文件：217.05 Kbytes 頁數：6 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3
    High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
     Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;
    Vishay
    威世
    

    VI20150SG-E3/4W
    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A
    
Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and
    文件：167.43 Kbytes 頁數：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3SLASH4W
    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A
    
Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A


FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and
    文件：167.43 Kbytes 頁數：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3/4W
    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    文件：163.51 Kbytes 頁數：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3SLASH4W
    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    文件：163.51 Kbytes 頁數：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20150SG-E3/4W
    肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS
    Vishay
    威世
    

    VI20150SG-E3/4W
    Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO262AA
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    詳細參數
    
            
    
            
      
            	
    • 型號：
      VI20150SG-E3
    • 功能描述：
      肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS 
    • RoHS：
      否 
    • 制造商：
      Skyworks Solutions, Inc. 
    • 產品：
      Schottky Diodes 
    • 峰值反向電壓：
      2 V 
    • 正向連續(xù)電流：
      50 mA 
    • 配置：
      Crossover Quad 
    • 正向電壓下降：
      370 mV 
    • 最大功率耗散：
      75 mW 
    • 工作溫度范圍：
      - 65 C to + 150 C 
    • 安裝風格：
      SMD/SMT 
    • 封裝/箱體：
      SOT-143 
    • 封裝：
      Reel 
    
            
    
        
    
            
    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    
                
    



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            更新時間2021-9-14 10:50:00
        
    
        
    
          
    
            
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      <strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>
      

        <track id="6dxzi"><b id="6dxzi"></b></track>
      <th id="6dxzi"><input id="6dxzi"></input></th>
      

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