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    VI20120C-E3
    Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
? Component in acco
    文件：161.84 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20120C-E3
    Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
     Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;
    Vishay
    威世
    

    VI20120C-E3/4W
    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
    
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
? Component in acco
    文件：167.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20120C-E3SLASH4W
    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
    
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)
? Component in acco
    文件：167.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20120C-E3/4W
    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    文件：163.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20120C-E3SLASH4W
    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    文件：163.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages
    VISHAYVishay Siliconix
    威世威世科技公司
    

    VI20120C-E3/4W
    Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    詳細(xì)參數(shù)
    
            
    
            
      
            	
    • 型號(hào)：
      VI20120C-E3
    • 功能描述：
      肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS 
    • RoHS：
      否 
    • 制造商：
      Skyworks Solutions, Inc. 
    • 產(chǎn)品：
      Schottky Diodes 
    • 峰值反向電壓：
      2 V 
    • 正向連續(xù)電流：
      50 mA 
    • 配置：
      Crossover Quad 
    • 正向電壓下降：
      370 mV 
    • 最大功率耗散：
      75 mW 
    • 工作溫度范圍：
      - 65 C to + 150 C 
    • 安裝風(fēng)格：
      SMD/SMT 
    • 封裝/箱體：
      SOT-143 
    • 封裝：
      Reel 
    
            
    
        
    
            
    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    
                
    



    VISHAY
    		

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    VISHAY
    		

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    VISHAY
    		

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    TO-262
    		

    30000
    		

    代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
    		
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    VISHAY原裝
    		

    24+
    		

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    原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買
    		
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    VISHAY
    		

    25+
    		

    TO-262
    		

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    VISHAY/威世
    		

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    VISHAY
    		

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    TO-262
    		

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    VISHAY
    		

    23+
    		

    TO-262
    		

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    全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
    		
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    VISHAY/威世
    		

    23+
    		

    TO-262
    		

    50000
    		

    全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
    		
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            更新時(shí)間2026-1-22 17:07:00
        
    
        
    
          
    
            
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      <strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>
      

        <track id="6dxzi"><b id="6dxzi"></b></track>
      <th id="6dxzi"><input id="6dxzi"></input></th>
      

      <i id="6dxzi"><nobr id="6dxzi"></nobr></i>
      

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