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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VI20100S-E3	文件：157.77 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JES 文件：157.77 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3	文件：215.28 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：215.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VI20100S-E3/4W	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.62 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3SLASH4W	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2 文件：168.62 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3SLASH4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VI20100S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VI20100S-E3
功能描述：
肖特基二極管與整流器 20 Amp 100 Volt
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多VI20100S-E3供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:01:00

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