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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VFT10200C	文件：145.78 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package 文件：145.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VFT10200C-E3	文件：161.6 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package 文件：161.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VFT10200C-E3	文件：202.16 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA packa 文件：202.16 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VFT10200C-E3-4W	文件：145.78 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package 文件：145.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VFT10200C-E3	文件：151.68 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VFT10200C-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VFT10200C-E3/4W	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二極管與整流器 10A 200V TrenchMOS	Vishay 威世	Vishay
VFT10200C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封裝，隔離接片；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 200V ITO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VFT10200C
制造商：
VISHAY
制造商全稱(chēng)：
Vishay Siliconix
功能描述：
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	VFT10200C	NEXPERIA/安世	23+	SOT78	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢(xún)價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	VFT10200C	VISHAY/威世	24+	TO220	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	VFT10200C	VISHAY/威世	2026+	TO220	54648	百分百原裝現(xiàn)貨實(shí)單必成歡迎詢(xún)價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	VFT10200C-E3-4W	VISHAY	17+	TO220F-3	6200		詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	VFT10200C-E3/4W	VISHAY	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	VFT10200C-E3/4W	VISHAY	25+23+	TO-220F	19717	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VFT10200C-E3-4W	VISHAY	20+	TO220F-3	38560	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	VFT10200C-E3/4W	VISHAY	25+	TO-220	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	VFT10200C-E3/4W	VISHAY	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	VFT10200CE3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	ITO220AB	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢(xún)價(jià)

更多VFT10200C供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:05:00

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