Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC, ITO-220AC a

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

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ISC

無錫固電

Low forward voltage drop, low power losses

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：帶盒（TB） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 7.5A 60V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：帶盒（TB） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 7.5A 60V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division