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VBMB155R18	文件：680.71 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 550V (D-S)Power MOSFET 文件：680.71 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
VBM155R18	文件：450.13 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ? Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) ? Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit ( 文件：450.13 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
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