Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division