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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件:149.29 Kbytes 頁數:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 文件:150.74 Kbytes 頁數:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件:146.76 Kbytes 頁數:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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Low forward voltage drop, low power losses 文件:88.76 Kbytes 頁數:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件:78.84 Kbytes 頁數:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
VB60100C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay |
詳細參數
- 型號:
VB60100C
- 制造商:
VISHAY
- 制造商全稱:
Vishay Siliconix
- 功能描述:
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網 |
詢價 | ||
VISHAY |
12+ |
TO-263 |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現貨供應。 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-263 |
260 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
20+ |
TO-263 |
32500 |
現貨很近!原廠很遠!只做原裝 |
詢價 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
詢價 | |||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配單提供樣品 |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原裝,詳情請咨詢 |
詢價 |
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