Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Schottky technology

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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肖特基二極管與整流器 30A,120V,TRENCH SKY RECT.

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Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：30A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division