Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

肖特基二極管與整流器 30 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS

Vishay

威世

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 150V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division