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VB20120C-E3SLASH4W	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package) ? Component in acco 文件：167.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20120C-E3SLASH4W	文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	VB20120C-M3	VISHAY/威世	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
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