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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
VB10170C	文件：106.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：106.6 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C	文件：315.78 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.78 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
VB10170C	文件：92.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：92.7 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C_V01	文件：106.6 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：106.6 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C-E3	文件：93.34 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：93.34 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C-E3_15	文件：85.05 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：85.05 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170CHM3	文件：93.34 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：93.34 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C-M3	文件：93.34 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：93.34 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB10170C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay
VB10170C-E3/VB10170C-M3/VB10170CHM3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;	Vishay 威世	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VB10170C
功能描述：
肖特基二極管與整流器 10A 170V TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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