Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n ;

Vishay

威世

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 120V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：60A 120V TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division