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V40120C	文件：546.42 Kbytes Page：2 Pages	Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier Features · Trench Mos Schottky Barrier · Guardring for overvoltage Protection · Low Forward Voltage Drop · Low Reverse Leakage Current · High Surge Current Capability · Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O 文件：546.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DAESAN	DAESAN
V40120C	文件：239.87 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Guard -Ring for Stress Protection ·Low Forward Voltage ·High Operating Junction Temperature ·Low Power Loss/High Efficiency ·High surge capability ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：239.87 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
V40120C_V01	文件：141.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：141.48 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40120CI	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICA 文件：136.56 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40120CI_V01	文件：136.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICA 文件：136.56 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40120CI-M3SLASHP	文件：135.92 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：135.92 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40150C-E3	文件：216.39 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB 文件：216.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40150C-E3_V01	文件：216.39 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB 文件：216.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40170C-M3	文件：135.57 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：135.57 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40170C-M3_V01	文件：135.57 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：135.57 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
V401
功能描述：
DIODE 40A 100V SCHOTTKY TO220-3
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列
系列：
-
其它有關(guān)文件：
STTH10LCD06C View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
- 電壓 - 在 If
時(shí)為正向(Vf)（最大）：
2V @ 5A 電流 - 在 Vr
時(shí)反向漏電：
1µA @ 600V 電流 -
平均整流(Io)（每個(gè)二極管）：
5A 電壓
-(Vr)（最大）：
600V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：
50ns
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
速度：
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
二極管配置：
1 對(duì)共陰極
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
D2PAK
包裝：
帶卷(TR)
產(chǎn)品目錄頁面：
1553(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
497-10107-2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	V40100C-E3	VISHAY	25+	TO-220	1675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	V40100C-E3	VISHAY/威世	22+	TO220AB	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	V40100C-E3	VISHAY/威世	24+	TO220	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	V40100C-E3	Vishay	25+	TOTO-220AB	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	V40100C-E3	VISHAY/威世	25+	TO220	54648	百分百原裝現(xiàn)貨實(shí)單必成歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	V40100C-E3/4W	VIS	24+		1000		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	V40100C-E3/4W	VISHAY	17+	TO220	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	V40100C-E3/4W	VISHAY	25+	TO220	90	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	V40100C-E3/4W	VISHAY	24+	TO-220AB	3000	全新原裝環(huán)?，F(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市海天鴻電子科技有限公司	V40100C-E3/4W	VISHAY	1651+	TO-220	8500	只做原裝進(jìn)口,假一罰十	詢價(jià)

更多V401供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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