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V30100C-E3 | Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath t 文件：178.93 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V30100C-E3 | Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Low thermal resistance ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：214.65 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V30100C-E3 | Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 文件：167.4 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Low thermal resistance ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：214.65 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 文件：167.4 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.56 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.53 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
V30100C-E3
- 功能描述：
肖特基二極管與整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 產(chǎn)品：
Schottky Diodes
- 峰值反向電壓：
2 V
- 正向連續(xù)電流：
50 mA
- 配置：
Crossover Quad
- 正向電壓下降：
370 mV
- 最大功率耗散：
75 mW
- 工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOT-143
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2412+ |
TO220 |
3668 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨 |
詢價 | ||
VIS |
22+ |
TO-220AB |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
VIS |
25+ |
TO-TO-220AB |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
VISHAY |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
VISHAY |
20+ |
TO220-3 |
38560 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-220-3 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3675 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 |
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