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|---|---|---|---|---|
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temp 文件：160.62 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.53 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Low thermal resistance ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-22 文件：200.88 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：145.19 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：152.41 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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詳細參數(shù)
- 型號：
V20100S
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
中性 |
23+ |
TO220-3 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
22055 |
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
22+ |
TO220-3 |
20000 |
只做原裝 |
詢價 | |||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-220AB |
417 |
詢價 | |||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
VISHAY原裝 |
25+23+ |
TO-220 |
23083 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220AB |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 |
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