High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.29 V at IF = 2.5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Package：8-PowerTDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：10A, 45V, FLATPAK TRENCH SKY REC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division