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UPA2733GR	文件：341.07 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2733GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 38 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.5 A) ? Low Ciss: 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA2733GR	文件：1.6871 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.6871 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
UPA2733GR-E1	文件：341.07 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2733GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 38 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.5 A) ? Low Ciss: 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA2733GR-E1-A	文件：341.07 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2733GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 38 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.5 A) ? Low Ciss: 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA2733GR-E2	文件：341.07 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2733GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 38 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.5 A) ? Low Ciss: 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA2733GR-E2-A	文件：341.07 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2733GR is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 38 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?2.5 A) ? Low Ciss: 文件：341.07 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

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