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首頁(yè) >UPA1980>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
UPA1980	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μ PA1980 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device incorporates a MOS FET, which features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and a low leakage Schottky barrier diode, and is suitable for applications s 文件：79.94 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
UPA1980	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE DESCRIPTION The μ PA1980 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device incorporates a MOS FET, which features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and a low leakage Schottky barrier diode, and is suitable for applicatio 文件：215.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA1980	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING	Renesas 瑞薩	Renesas
UPA1980TE	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOS FET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE DESCRIPTION The μ PA1980 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device incorporates a MOS FET, which features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and a low leakage Schottky barrier diode, and is suitable for applicatio 文件：215.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA1980TE	文件：573.56 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Load Switch for Portable Applications ? Battery Switch for Portable Devices ? Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：573.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
UPA1980TE	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μ PA1980 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device incorporates a MOS FET, which features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and a low leakage Schottky barrier diode, and is suitable for applications s 文件：79.94 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
UPA1980TE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞薩	Renesas

技術(shù)參數(shù)

QG (nC) typ.：
2.3
Nch/Pch：
Pch
Vgs (off) (V) max.：
-1.5
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
8
Configuration [Device]：
Built-In SBD
Pch (W)：
0.57
VDSS (V) max.：
-20
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
-2
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @2.5V or 1.8V：
183
Package Type：
6pin TMM/SC-95
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
135
Production Status：
Non-promotion
Ciss (pF) typ.：
272

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	UPA1980TE	NEC	24+		5000	有部份現(xiàn)貨	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	UPA1980TE-T1	原廠正品	23+	SOT23-6	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	UPA1980TE-T1	NEC	19+	SOT-23-6	200000		詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	UPA1980TE-T1	NEC	20+	SOT-23-6	36800	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	UPA1980TE-T1-A	RENESAS/瑞薩	24+	SOT23-6	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	UPA1980TE-T1-A	RENESAS/瑞薩	23+	SOT23-6	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市英瑞爾電子科技有限公司	UPA1980TE-T2	NEC	24+	SOT-23-6	98000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	UPA1980TE-T1-A	RENESAS/瑞薩	2016+PB	TSOP-6	6400	特價(jià),大量供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	UPA1980TE-T1	NEC	02+	SOT163	3000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	UPA1980TE-T1-A	RENESAS/瑞薩	新年份	TSOP-6	6400	原裝正品大量現(xiàn)貨,要多可發(fā)貨,實(shí)單帶接受價(jià)來(lái)談!	詢價(jià)

更多UPA1980供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 10:21:00

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