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UPA1476	文件：62.61 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The μPA1476 is NPN silicon epitaxial Darlington Power Transistor Array that built in 4 circuits designed for driving solenoid, relay, lamp and so on. FEATURES ? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval. ? High hFE for Darlington Transistor. ? Surge Absorber (Zener 文件：62.61 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
UPA1476	文件：211.83 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTOR ARRAY NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR) INDUSTRIAL USE FEATURES ? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval. ? High hFE for Darlington Transistor. ? Surge Absorber (Zener Diode) built in. 文件：211.83 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA1476	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR) INDUSTRIAL USE DESCRIPTION\nThe μPA1476 is NPN silicon epitaxial Darlington Power Transistor Array that built in 4 circuits designed for driving solenoid, relay, lamp and so on.\n\nFEATURES\n? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval.\n? High hFE for Darlington Transistor.\n? Surge Absorber (Zener Diode) built ? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval.\n? High hFE for Darlington Transistor.\n? Surge Absorber (Zener Diode) built in.;	Renesas 瑞薩	Renesas
UPA1476H	文件：211.83 Kbytes Page：8 Pages	SILICON TRANSISTOR ARRAY NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR) INDUSTRIAL USE FEATURES ? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval. ? High hFE for Darlington Transistor. ? Surge Absorber (Zener Diode) built in. 文件：211.83 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
UPA1476H	文件：62.61 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The μPA1476 is NPN silicon epitaxial Darlington Power Transistor Array that built in 4 circuits designed for driving solenoid, relay, lamp and so on. FEATURES ? Easy mount by 0.1 inch of terminal interval. ? High hFE for Darlington Transistor. ? Surge Absorber (Zener 文件：62.61 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC

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