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VEC2811	文件：49.22 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Features ? DC/DC converter. ? Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting. ? [MOSFET] ? Low ON-resistance. ? 4V drive. ? [SBD] ? Short reverse recovery time. ? Low forward vo 文件：49.22 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
WL2811EA	文件：4.27026 Mbytes Page：13 Pages	Low noise, High PSRR, High speed, CMOS LDO 文件：4.27026 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韋爾股份上海韋爾半導體股份有限公司	WILLSEMI

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