絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/u53635m/marking.html">U53635M；Package：VQFN-HR；LM53625/35-Q1, 2.5-A or 3.5-A, 36-V Synchronous, 2.1-MHz, Step-Down DC-DC Converter

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TI

德州儀器

絲印：U53635N；Package：VQFN-HR；LM53625/35-Q1, 2.5-A or 3.5-A, 36-V Synchronous, 2.1-MHz, Step-Down DC-DC Converter

文件：3.11241 Mbytes 頁數(shù)：59 Pages

TI

德州儀器

High Current IO+/- 1.0/1.2A 3-PHASE BRIDGE DRIVER

U5315是一種用于功率MOSFET和IGBT器件的高速三相門極驅(qū)動(dòng)器，具有三個(gè)獨(dú)立的高、低壓側(cè)基準(zhǔn)輸出通道。內(nèi)置死區(qū)保護(hù)和輸出互通保護(hù)，防止損壞半橋和MOS。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO電路可防止故障。一種新穎的高壓BCD工藝和共模消噪聲技術(shù)在高dV/dt條件下為高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供了穩(wěn)定的工作環(huán)境，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了良好的負(fù)瞬態(tài)電壓容限。具有低功耗的PW，低待機(jī)模式，低靜態(tài)電流的特性，以實(shí)現(xiàn)較長的電池壽命。

UNIU-SEMIC

宇力

High Current IO+/- 1.0/1.2A 3-PHASE BRIDGE DRIVER

U5316是一種用于功率MOSFET和IGBT器件的高速三相門極驅(qū)動(dòng)器，具有三個(gè)獨(dú)立的高、低壓側(cè)基準(zhǔn)輸出通道。內(nèi)置死區(qū)保護(hù)和輸出互通保護(hù)，防止損壞半橋和MOS。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO電路可防止故障。一種新穎的高壓BCD工藝和共模消噪聲技術(shù)在高dV/dt條件下為高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供了穩(wěn)定的工作環(huán)境，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了良好的負(fù)瞬態(tài)電壓容限。具有低功耗的PW，低待機(jī)模式，低靜態(tài)電流的特性，以實(shí)現(xiàn)較長的電池壽命。

UNIU-SEMIC

宇力

開關(guān)配件/蓋帽

APEM

埃斐

Package：圓柱型；包裝：盒 類別：傳感器，變送器 壓力傳感器、變送器 - 工業(yè) 描述：SENSOR

TE Connectivity Measurement Specialties

Package：圓柱型；包裝：盒 類別：傳感器，變送器 壓力傳感器、變送器 - 工業(yè) 描述：SENSOR

TE Connectivity Measurement Specialties