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TW123V65C	文件：799.11 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?strong>TW123V65C；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications ? Switching Voltage Regulators Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 123 mΩ (typ.) (5) Less susceptible t 文件：799.11 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
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