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          首頁>TTC1949>規(guī)格書詳情

          TTC1949分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

          PDF無圖
          廠商型號(hào)

          TTC1949

          參數(shù)屬性

          TTC1949 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 0.5A SMINI

          功能描述

          Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

          絲印標(biāo)識(shí)

          CBA

          封裝外殼

          S-Mini / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

          文件大小

          195.46 Kbytes

          頁面數(shù)量

          5

          生產(chǎn)廠商

          TOSHIBA

          中文名稱

          東芝

          網(wǎng)址

          網(wǎng)址

          數(shù)據(jù)手冊

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          更新時(shí)間

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          TTC1949規(guī)格書詳情

          Applications

          ? Low-Frequency Power Amplifiers

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            TTC1949-Y,LF

          • 制造商:

            Toshiba Semiconductor and Storage

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 晶體管類型:

            NPN

          • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

            400mV @ 50mA,500mA

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            100nA(ICBO)

          • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            120 @ 100mA,1V

          • 頻率 - 躍遷:

            100MHz

          • 工作溫度:

            150°C(TJ)

          • 安裝類型:

            表面貼裝型

          • 封裝/外殼:

            TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            S-Mini

          • 描述:

            TRANS NPN 50V 0.5A SMINI

          供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
          臺(tái)產(chǎn)
          24+
          大電感
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