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TT8J2TR	文件：2.45853 Mbytes Page：12 Pages	-30V Pch Pch Middle Power MOSFET 文件：2.45853 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
TT8J3	文件：2.48435 Mbytes Page：13 Pages	-30V PchPch Middle Power MOSFET 文件：2.48435 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
TT8J11	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch+Pch　MOSFET 電界效果晶體管MOSFET。復合兩顆Pch MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復合型的產(chǎn)品線對應多種市場需求。 ?1.5V驅(qū)動型 Pch+Pch MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
TT8J2	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch+Pch MOSFET 電界效果晶體管MOSFET。復合兩顆Pch MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復合型的產(chǎn)品線對應多種市場需求。 ?4V驅(qū)動型 Pch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
TT8J21	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V Drive Pch+Pch　MOSFET 電界效果晶體管MOSFET。復合兩顆Pch MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應用的功率MOSFET，并且結(jié)合用途，以多樣的小型高功率復合型的產(chǎn)品線對應多種市場需求。 ?1.5V驅(qū)動型 Pch+Pch MOSFET;	ROHM 羅姆	ROHM
TT8JL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，鷗翼；包裝：管件類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 橋式整流器描述：MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TT T\u0026R	DIODES 美臺半導體	DIODES

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技術(shù)參數(shù)

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-3.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)：
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)：
0.043
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.08
Total gate charge Qg[nC]：
22.0
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多TT8J供應商更新時間2026-1-20 17:22:00

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