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TRS2E65H	文件：443.15 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/s2e65h/marking.html">S2E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode Applications ? Power Factor Correction ? Solar Inverters ? Uninterruptible Power Supplies ? DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 6.5 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 0.2 μA (typ 文件：443.15 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TRS2E65H	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Schottky barrier diode Application Scope：Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters\n\nFeature：Chip design of 3rd generation\n\nNumber of Circuits：1\n\nInternal Connection：Single\n\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 東芝	Toshiba
TRS2E65F	文件：255.97 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：255.97 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TRS3221CPWR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP16	TI/德州儀器上傳：深圳市明嘉萊科技有限公司	TI/德州儀器
TRS3221ECPWR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP16	Texas Instruments 上傳：深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	Texas Instruments

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浙江永芯科技有限公司	TRS2R	FERRAZ/羅蘭熔斷器	23+	標準封裝	5000	原廠授權一級代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質保	詢價
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