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TRS10E65F	文件：294.34 Kbytes Page：6 Pages	絲印：S10E65F；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode 文件：294.34 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TRS10E65F,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包裝：管件類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DODE SCHOTTKY 650V TO220	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65H	文件：432.62 Kbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Applications ? Power Factor Correction ? Solar Inverters ? Uninterruptible Power Supplies ? DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ. 文件：432.62 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
TRS10E65C	文件：156.24 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：156.24 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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更多TRS10E65F供應商更新時間2026-1-21 14:55:00