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TPP65R075DFD	文件：753.66 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r075dfd/marking.html">65R075DFD；Package：TO-220；650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：753.66 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	WUMC 紫光國微	WUMC
TPP65R075DFD	文件：753.66 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r075dfd/marking.html">65R075DFD；Package：TO-220；650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：753.66 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	WUMC 紫光國微	WUMC
TPP65R075DFD	文件：757.4 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r075dfd/marking.html">65R075DFD；Package：TO-220；650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：757.4 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	WUMC 紫光國微	WUMC
TPP65R075DFD	文件：753.65 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/65r075dfd/marking.html">65R075DFD；Package：TO-220；650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：753.65 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	WUMC 紫光國微	WUMC
TPP65R075DFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	超結(jié)功率 MOSFET	紫光國微

技術(shù)參數(shù)

BVdss(V)：
650
ID(A) Tc=25℃：
45
Vth(V)_min：
2.5
Vth(V)_max：
4.5
Rdson(Ω)Vgs=10V_typ：
0.066
Rdson(Ω)Vgs=10V_max：
0.075

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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