采用 TO-247 封裝的 900V 50mΩ 氮化鎵GaN FET

TP90H050WS 900V 50mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 屬于常閉型器件。Transphorm?氮化鎵GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。TP90H050WS 經(jīng)由共源極封裝配置封裝在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 引線 TO-247 內(nèi)發(fā)售。 ? 易于驅(qū)動(dòng) – 與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器兼容\n? 低傳導(dǎo)、低開關(guān)損耗\n? 低 Qrr (125nC) – 無需任何續(xù)流二極管\n? GSD 引腳布局可提升高速設(shè)計(jì)\n? 通過 JEDEC 認(rèn)證的 氮化鎵GaN技術(shù)\n? 符合限制有害物質(zhì)指令 (RoHS) 規(guī)范要求且不含鹵素\n? 實(shí)現(xiàn)更高效的拓?fù)?– 易于實(shí)施無橋圖騰柱設(shè)計(jì)\n? 快速切換，提高效率\n? 提高功率密度\n? 系統(tǒng)尺寸減小、重量減輕\n? BOM 成本更低;

Transphorm

900V Cascode GaN FET in TO-247 (source tab)

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TRANSPHORM

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