DC/DC 升壓變換芯片

TP83 系列芯片是采用 CMOS 工藝制造的靜態(tài)電流極低的 VFM 開(kāi)關(guān)型 DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器。該芯片由振蕩器、VFM 模式控制電路、Lx 開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)晶體管、基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧⒄`差比較放大器、電壓采樣電阻及 VLX限幅電路等組成。\r\n\r\n TP83 系列升壓轉(zhuǎn)換器采用變頻的方式，因此較國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品具有更低的紋波、更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力、效率高等特點(diǎn)，應(yīng)用時(shí)外圍只需接三個(gè)元件(電感、電容及二極管各一個(gè))。輸入電壓最低 0.8V,并且可以根據(jù)要求調(diào)整輸出電壓 3V—6V 可選。 1. 外接元件少：需肖特基管、電感及電容各一個(gè)；外接元件建議選擇: 低直流電阻電感 20～220μH，鉭電容 47～\r\n200μF，肖特基二極管。\r\n2. 極低的靜態(tài)電流：4uA\r\n3. 低噪聲及低紋波：紋波典型值為 100mV\r\n4. 驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)：\r\n Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 時(shí)，Iout=100mA\r\n Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 時(shí)，Iout=750mA\r\n5. 啟動(dòng)工作電壓低：最大 0.8V\r\n6. 高效率：85%(Typ)\r\n7. 封裝體積?。篠OT23（窄體）;

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DC/DC 升壓變換芯片

TP83 系列芯片是采用 CMOS 工藝制造的靜態(tài)電流極低的 VFM 開(kāi)關(guān)型 DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器。該芯片由振蕩器、VFM 模式控制電路、Lx 開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)晶體管、基準(zhǔn)電壓?jiǎn)卧?、誤差比較放大器、電壓采樣電阻及 VLX限幅電路等組成。\r\n\r\n TP83 系列升壓轉(zhuǎn)換器采用變頻的方式，因此較國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品具有更低的紋波、更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力、效率高等特點(diǎn)，應(yīng)用時(shí)外圍只需接三個(gè)元件(電感、電容及二極管各一個(gè))。輸入電壓最低 0.8V,并且可以根據(jù)要求調(diào)整輸出電壓 3V—6V 可選。 1. 外接元件少：需肖特基管、電感及電容各一個(gè)；外接元件建議選擇: 低直流電阻電感 20～220μH，鉭電容 47～\r\n200μF，肖特基二極管。\r\n2. 極低的靜態(tài)電流：4uA\r\n3. 低噪聲及低紋波：紋波典型值為 100mV\r\n4. 驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)：\r\n Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 時(shí)，Iout=100mA\r\n Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 時(shí)，Iout=750mA\r\n5. 啟動(dòng)工作電壓低：最大 0.8V\r\n6. 高效率：85%(Typ)\r\n7. 封裝體積小：SOT23（窄體）;

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Bandpass Filter

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VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode mounted on a two lead ceramic substrate and coated with a thick layer of clear epoxy. These diodes exhibit low dark current under reverse bias and fast speed of response.

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