650V Cascode GaN FET in TO-247

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AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

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采用 TO-247 封裝的 650V 35mΩ 氮化鎵GaN FET

The TP65H050WS 650V, 50m? Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\r\n\r\n Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower ? 易于驅動 – 與標準柵極驅動器兼容\n? 低傳導、低開關損耗\n? 低 Qrr (125nC) – 無需任何續(xù)流二極管\n? GSD 引腳布局可提升高速設計\n? 通過 JEDEC 認證的 氮化鎵GaN技術\n? 符合限制有害物質指令 (RoHS) 規(guī)范要求且不含鹵素\n? 實現(xiàn)更高效的拓撲 – 易于實施無橋圖騰柱設計\n? 快速切換，提高效率\n? 提高功率密度\n? 系統(tǒng)尺寸減小、重量減輕\n? BOM 成本更低;

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采用 TO-247 封裝的 650V 50mΩ 氮化鎵 AEC-Q101 Qualified GaN FET

TP65H050WSQA 650V 50mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 屬于常閉型器件。Transphorm?氮化鎵GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。TP65H035WSQA 經(jīng)由共源極封裝配置封裝在行業(yè)標準的 3 引線 TO-247 內發(fā)售。 ? 易于驅動 – 與標準柵極驅動器兼容\n? 低傳導、低開關損耗\n? 低 Qrr (125nC) – 無需任何續(xù)流二極管\n? GSD 引腳布局可提升高速設計\n? 通過 AEC-Q101 認證的 氮化鎵GaN技術\n? 符合限制有害物質指令 (RoHS) 規(guī)范要求且不含鹵素\n? 實現(xiàn)更高效的拓撲 – 易于實施無橋圖騰柱設計\n? 快速切換，提高效率\n? 提高功率密度\n? 系統(tǒng)尺寸減小、重量減輕\n? BOM 成本更低;

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