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TP5322K1	文件：306.65 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：306.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
TP5322K1	文件：516.86 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：516.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
TP5322K1-G	文件：306.65 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：306.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
TP5322K1-G	文件：516.86 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：516.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SUTEX	SUTEX
TP5322K1-G	文件：686.91 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：686.91 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TP5322K1
功能描述：
MOSFET MOSFET PCh ENHANCE MODE -220V 12
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市艾宇欣科技有限公司	TP5322K1-G	Microchip	1940+	N/A	808	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	TP5322K1-G	MICROCHIP(美國(guó)微芯)	2447	SOT-23-3	31500	3000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	TP5322K1-G	MICROCHIP	25+	SOT23-3	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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更多TP5322K1供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:22:00

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