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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TP2635	文件：457.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：457.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635	文件：624.7 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：624.7 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635	文件：562.77 Kbytes Page：5 Pages	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：562.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -350V, 15 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Low threshold (-2.0V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TP2635N3	文件：457.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：457.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635_07	文件：562.77 Kbytes Page：5 Pages	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：562.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635_13	文件：624.7 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：624.7 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635N3	文件：562.77 Kbytes Page：5 Pages	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：562.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635N3-G	文件：562.77 Kbytes Page：5 Pages	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：562.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2635N3-G	文件：624.7 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：624.7 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技術(shù)參數(shù)

BVdss min (V)：
-350
Rds (on) max (Ohms)：
15
Vgs(th) max (V)：
-2.0
CISSmax (pF)：
300
Packages：
3\\TO-92

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多TP2635供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 17:07:00

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