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TP2535N3 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：481.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | SUTEX | SUTEX | |
P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：639.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | SUTEX | SUTEX | ||
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs General Description The Supertex DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transi 文件：90.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | SUTEX | SUTEX | ||
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs 文件：785.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | SUTEX | SUTEX | ||
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs 文件：730.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | SUTEX | SUTEX |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
TP2535N3
- 功能描述：
MOSFET 350V 25Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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MICROCHIP(美國(guó)微芯) |
2021+ |
TO-92-3 |
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SUPERTEXINC |
23+ |
TO-92 |
50000 |
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Microchip |
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Microchip |
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TO2263 TO923 (TO226AA) |
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