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首頁 >TP2104N3>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
TP2104N3	文件：455.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs General Description This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high in 文件：455.81 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2104N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology\nThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance ? Free from secondary breakdown\n? Low power drive requirement\n? Ease of paralleling\n? Low CISS and fast switching speeds\n? Excellent thermal stability\n? Integral Source-Drain diode\n? High input impedance and high gain\n? Complementary N- and P-channel devicesApplications\n? Logic level interfa;	Microchip 微芯科技	Microchip
TP2104N3-G	文件：579.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs General Description This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high in 文件：579.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2104N3-G	文件：579.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs General Description This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high in 文件：579.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SUTEX	SUTEX

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TP2104N3
功能描述：
MOSFET 40V 6Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	TP2104N3	SUP	24+	原廠封裝	3050	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	TP2104N3	SUPERTEX	23+	TO-92	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	TP2104N3-G	SUPERTEX	24+	TO-92	4820	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	TP2104N3-G	Microchip	24+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	TP2104N3-G	MICROCHIP/微芯	24+	NA	2000	原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	TP2104N3-G	Microchip	1940+	N/A	523	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	TP2104N3-G-P003	MICROCHIP(美國微芯)	2447	TO-92-3	31500	2000個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	TP2104N3-G	MICROCHIP	25+	TO-92-3	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	TP2104N3-G-P003	MICROCHIP(美國微芯)	2021+	TO-92-3	499		詢價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	TP2104N3-G-P003	Microchip	22+	NA	1899	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)

更多TP2104N3供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 8:01:00

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